韓國三星電子9月26日(當地時間)宣佈，與美國哈佛大學共同進行將人腦複製並貼上到半導體晶片的研究。 目標是開發利用奈米電極陣列讀取神經細胞(神經元)的結構，複製到儲存晶片上的技術。
總結研究構想的論文於9月23日刊登在了科學雜誌《Nature Electronics》上。
將大腦功能再現在計算機上的“神經變形工程”的研究從20世紀80年代開始，但是神經元如何配置、承擔大腦功能至今幾乎不知道，直接再現大腦的方法的開發很困難。
研究小組這次獨自開發了能夠高靈敏度地記錄人腦神經元的電訊號，還能夠複製配置和連線狀態的奈米電極陣列。 據說還可以記錄神經元連線的地方和連線的強度，可以“複製”神經元的佈線圖。
複製的資料“貼上”到SSD等非易失性儲存器的網路中。 流程是將大腦的神經元連線圖直接下載到儲存器晶片上。 除了SSD以外，還以“腦漿”為目標，向RRAM (電阻變化儲存器)等進行貼上。
據說人腦中的神經元約有1000億個，推測有其1000倍以上的突觸(神經元之間的接合部)。 因此，製作再現大腦的半導體晶片，估計需要約100兆個儲存單元。
三星正在開發採用三維結構儲存單元的高密度儲存器。 其目標是將再現大腦的龐大資料貼上到採用三維結構單元的1個儲存器中。
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