近日，三星電子宣佈將於2022年上半年開始生產3奈米晶片。此前三星電子宣佈將在明年上半年開始使用環柵 (GAA) 技術為客戶生產3奈米 (nm) 晶片設計，並將在2023年量產第二代3奈米晶片，在2025年量產2奈米晶片。
三星電子將使用 GAA 技術進行3奈米晶片生產，以提高充當半導體電流控制開關的電晶體的效能和效率。新的電晶體結構對於持續的工藝遷移至關重要，因為它提高了電源效率、效能和設計靈活性。
與基於鰭式場效應電晶體 (FinFET) 的5奈米工藝相比，三星首個3奈米GAA工藝節點可將效能提升30%，將功耗降低50%，並將芯片面積減少35%。該公司計劃將第三代 GAA 技術應用於將於2025年推出的2奈米工藝。
臺積電計劃繼續將 FinFET 技術應用到3奈米工藝中，並從2奈米工藝開始引入 GAA 技術。如果按照三星電子的計劃，它將成為全球第一家量產3奈米半導體的代工廠。最初，臺積電計劃在2022年7月將3奈米工藝應用於英特爾的CPU 和 GPU的量產。
