銳龍5歲了！
很多玩家都說，如果不是銳龍，我們很可能還在用四核處理器。不知不覺當中，AMD銳龍問世已有5年！初代Ryzen 7 1800X用8核心16執行緒將HEDT效能帶入到主流桌上型電腦市場，執行緒撕裂者更是逼得英特爾最終停掉了酷睿X產品線。
銳龍的發展極大帶動了PC效能飛躍式提升。北京時間10月12日晚上10點，AMD官網上線了5 Years of Ryzen頁面，AMD 首席營銷官 John Taylor 和技術營銷總監 Robert Hallock在影片中介紹了AMD在效能、封裝和效率方面的改進。
同時也帶來了新產品的訊息：帶有3D V-Cache的銳龍處理器將在2022年初上市。AM5介面下的ZEN4架構新平臺則將在2022年晚些時候問世。
對於ZEN4之後的展望，Taylor和Hallock討論了在經典ZEN CPU核心之外增加固定功能硬體（人工智慧/機器學習加速器）的可能。
AMD還談到了將在明年初問世的新一代移動處理器，它將在功耗、散熱和電池續航方面有很大的進步。AMD正在研究更多的P-States，使更多的CPU/GPU核心能夠在空閒時被關閉，並使Uncore部分更加高效。
14nm EUV技術DDR5記憶體：
三星剛剛宣佈在14nm EUV工藝節點上成功量產24Gb DDR5記憶體晶片。相比常規的16Gb產品，新工藝可將DDR5記憶體條的容量從512GB/1TB擴充套件至768GB和1.5TB。
繼去年3月出貨業界首款採用EUV極紫外光刻技術的DRAM之後，三星現在將EUV層數增加到5層，在實現更高位密度的同時，將整體快閃記憶體生產率提高了約20%。同上一代DRAM節點相比，14nm工藝可將功耗降低近20%。
結合ASML的路線圖來看，三星目前處於下圖中的1a節點，未來DRAM記憶體製造中將使用更多的EUV層，並在2026年到2030年間引入高NA EUV光刻。
和邏輯晶片以及DRAM記憶體不同的是，3D NAND快閃記憶體在可以預見的未來並不需要使用EUV光刻工藝，但堆疊層數會不斷增長，預計到2030年實現500層以上堆疊。
