如果我問你目前全球最強的半導體晶片企業是誰？
你可能會說是英特爾、或者是高通，要不就是臺積電？
都不是，其實是三星。
從收入的角度看，早在2017年，三星就第一次在半導體收入上超過Intel，終結了英特爾連續24年的業界頭名地位。不過，從2018年末開始，半導體行業開始出現供過於求的局面，尤其是快閃記憶體、記憶體產品等，這影響了三星的收入，隨後，Intel重新坐上頭把交椅。
今年以來，半導體“缺芯”困擾著各個行業，包括大家熟悉的手機終端和新能源汽車行業，對於三星、Intel這些半導體巨頭企業來說，市場的波動使其芯片價格提升明顯，收入增幅同樣明顯。
根據IC Insights的統計，三星在 2021 年第二季度的半導體總銷售額增長 19% 至 203 億美元，超越英特爾再次成為全球最大的半導體供應商。
本圖表根據IC Insights資料製作
最近幾年三星在消費者熟悉的手機領域受到蘋果和華為強有力的競爭，其各個價位的產品都受到較大沖擊，外界對三星終端的競爭力存疑，但三星作為覆蓋全產業鏈的超級集團，其競爭力體現在多個領域。
類似索尼在手機終端雖然逐漸式微，但其影像感測器業務卻仍舊領先業界。
在可預見的未來，三星和英特爾的王者之爭還將持續，你更看好誰呢?
作為打造先進製程的關鍵技術之一，3D FinFET電晶體之外的關鍵半導體技術之一是Gate-All-Around（GAA）電晶體，它有望幫助擴充套件驅動處理器和元件的能力，使其具有更高的效能和更低的功耗。三星一直宣稱其第一代GAA技術將與其3nm節點、3GAE和3GAP工藝保持一致。而隨著製程的提升，FinFET也將會逐漸轉為GAAFET設計。
在2019年三星電子就推出了其GAA技術的原型版本，而在幾個月前的會議上的一次演講中，三星公司表示，其3nm GAA技術的一個版本將有望在2022年部署。
而就在近日三星電子舉辦的晶圓代工論壇上，該公司就披露了最新的工藝進展和路線圖。
根據路線圖，三星的3nm在工藝上將會分為兩個版本，其中3GAE(低功耗版)將在2022年年初投入量產，3GAP(高效能版)則會在2023年年初批次生產。
對比5nm，三星新的3nm GAA可以讓面積縮小35％，同功耗下效能提高30％，同性能下功耗降低50％。
而在此後的2nm上，雖然並沒有出現在路線圖上，但是據三星代工市場策略高階副總裁MoonSoo Kang透露，2GAP工藝會在2025年量產。
不過他也補充說明，這個時間暫時還是生產計劃，具體的上架時間還要取決於客戶他們自己的規劃和部署。我們通常會在這些時間之後增加一到兩個季度（3-6 個月），所以由此推導2GAP工藝實際上最終可能在2026年上市。
而除了先進工藝製程之外，本次三星還推出了全新的成熟工藝製程17nm LPV工藝，意為Low Power Value。
事實上17nm LPV就是28nm工藝的進化版，融合了28nm BEOL後端工序、14nm FEOL前端工序，也就是在28nm節點的基礎上，加入了14nm FinFET立體電晶體，只需不高的成本，就能享受後者的能效優勢。
三星表示，17nm LPV工藝相比傳統28nm，芯片面積可縮小43％，可以帶來39％的效能提升或者49％的能效提升。
不過三星並沒有說明17nm LPV工藝的量產時間，但三星已經公佈了第一個服務物件是ISP影象訊號處理器，屬於三星自己的CMOS感測器產品線。
此外，三星還建造了14nm LPU工藝，意味Low Power Ultimate，但沒有透露細節。外界猜測該工藝也可能是28nm BEOL加14nm FEOL所打造。
