【據美國國家標準與技術研究院網站10月7日報道】美國國家標準與技術研究院研究團隊設計並測試了一種用於精確定量檢測電晶體缺陷的新方法。研究團隊利用半導體缺陷會與電子結合，導致電流中能量損失的原理，透過降低通道中的電子濃度以消除電晶體中的干擾因素，並利用“電檢測磁共振”方法使電子在缺陷發生處產生偏置，同時在漏極處測得缺陷位置損失的能量，最終實現精確定量檢測。該方法靈敏度高，既可用於檢測傳統的矽材料，也可檢測新型碳化矽材料半導體，將提高電晶體的效能和可靠性，進而提升晶片和產品的效能，促進下一代器件開發。
作者：徐可 北方科技資訊研究所
編輯：趙霄
注：原文來源網路，文中觀點不代表本公眾號立場，相關建議僅供參考。
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