晶片技術呈階梯式遞增是對現有半導體市場的最好形容。一方面，智慧資訊科技的發展，人們對手機、PC端等裝置效能需求的不斷提高，促使晶片廠商加速對矽基半導體晶片的研發。另一方面，大型工業裝置及零售商小型裝置、智慧汽車、智慧家居因對資料運算和資訊處理能力的需求較低，搭載其中的處理器晶片的效能研發進展相對較慢。由此便產生了半導體晶片市場的兩極分化。
之所以提起這個，是因為近期國產半導體成功建成國內首條28/22奈米 Re RAM 12英寸晶圓晶片生產線。2022年2月18日訊息。2022年2月16日，杭州日報報道：由國產廠商昕原半導體主導建設的國內首條具備自主研發技術和裝置自研能力的28/22奈米 Re RAM 12寸中試生產線順利建成。
其中用於該晶片生產線的自主研發裝置均完成了裝機驗收工作，並完成了中試線工藝流程的通線和流片試生產。Re RAM 12寸中試生產線的順利建成，將推動國產半導體晶片供給鏈的完善，提高國內晶片供給鏈的穩定性，推動國產半導體的多元化、平穩化、長遠化發展。
Re RAM是什麼？答：Re RAM又稱非易失性阻變式儲存器，簡單來說就是一個儲存處理器。目前PC端市場廣泛流通的是NAND快閃記憶體和DRAM記憶體，事實上，除了這兩類儲存晶片，本文提到的Re RAM也是儲存晶片。只不過因為生產難度大，被許多廠商放棄。據瞭解，Re RAM的寫入壽命可達100萬次。
那麼，Re RAM生產線的建成，給國產半導體廠商帶來的具體改變是什麼呢？最明顯的是加速實驗室實踐成果的轉變。在現有的儲存晶片市場中，傳統儲存晶片工廠因產能緊缺、資源有限，導致迭代速度慢，從而阻礙了工藝的研發進展。而實驗室與實際成果的轉變，是困擾我們發展半導體行業的一大問題。
論邏輯晶片設計、研發能力，我們並不比任何國家差。但在實際成果的轉變過程中，卻總是面臨著設計技術與裝置基礎不對等的問題。拿本文提到的阻變儲存器舉例，雖說國內各大科研院能夠在實驗室中完成對阻變儲存器的更新換代，進而在邏輯晶片研發能力上領先國外。但沒有標準的12英寸阻變儲存器量產產線，如何有效地推動實驗成果向實際量產、應用的轉變成為一個現實又不可規避的問題。
昕原半導體基於自研技術打造的28/22奈米Re RAM 12寸中試線，則很好的解決了困擾我們Re RAM由理論向實踐效果轉化的量產、投用問題。更何況昕原半導體建成的28/22奈米Re RAM 12寸中試線具備先進的獨立研發能力和生產能力。汲取了代工廠和實驗室的長處，有利於推動Re RAM相關產品的快速變現，進而提高國產Re RAM儲存器在市場中的競爭力，形成我們的品牌優勢。
對比DRAM、NAND儲存晶片，Re RAM有何優勢呢？答：使用壽命更長，穩定性更高，效能也是與DRAM、NAND不相上下。昕原半導體負責人表示，由於Re RAM儲存器的生產難度較大，因此賽道相對寬廣。國內與國外之間的技術差距也比較小，技術壁壘也尚未形成。公司有資訊在Re RAM領域中實現對國外Re RAM技術的趕超。
對於昕原半導體完成國內首條28/22奈米 Re RAM 12英寸晶圓晶片生產線這件事情，大夥有什麼想表達的呢？綜合昕原半導體Re RAM儲存器生產線建成後，對國產半導體行業的推動作用，你有什麼感想呢？趕快在下方留言、評論吧。
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