相信很多人都知道，華為被晶片禁令限制了進一步的發展，但這個限制也僅僅是在製造端，而不是設計端。此前華為任正非就曾表示，所謂封鎖也只是封鎖了製造晶片的光刻機等裝置，而並不能阻礙中國自主研發設計晶片的發展。這意味著，華為是有能力設計出全球最頂尖的晶片，而僅僅是受制於製造端。
殺不死我的必將使我更加強大，就在晶片禁令生效之後，華為內部甚至中國企業，紛紛都開始重新認識自主研發科技的重要性。將重要的科技掌握在自我手中，不用再受制於人，是每一個出海的中國企業必須面臨的問題。與此同時，也開始投入重金在半導體科技領域。
這次卡脖子的光刻機技術，是重中之重。不過國外的各種公司卻依然投來了鄙視的目光，認為光靠中國自主技術去研發，根本不可能設計出自研晶片。隨著國外勢力的這種冷嘲熱諷，中國各高等院校開始加入了這一場反擊戰。
讓技術的迴歸技術，光刻機在內部結構中，最主要的三個部件就是光源、光學鏡頭，以及雙工件臺系統了。
最近一段時間，年初開始進行光刻機研究的清華科研隊伍，終於取得了新的突破。唐傳祥帶領的科研團隊，透過新的驗證方式，獲得了一種新型加速粒子，命名為穩態微聚束。而它最重要的波長對應的波段，剛好是EUV光刻機所需要的核心光源技術。
這一訊息被證實後，許多國外的光刻機裝置工程師都不由地讚歎，該來的還是來了。這一步驟的完成，將預示著中國自造的光刻機研發成果，已經進入了新的里程碑。
這個訊息也讓很多關心中國光刻機進展的朋友們，大為驚訝。也發出了另一種讚歎的聲音，有可能中國將在未來幾年之內獲得更快速的進展，包括了目前難以攻克的光刻機裝置。不過來自國內的聲音，清華大學科研的成功，預示著光刻機高精尖技術的加速，可能真的用不了幾年就能收穫更大的驚喜。
果不其然，據最新媒體的報道顯示，清華科研團隊參與的專案中，華卓精科研發的成果方面，本身產品的應用精度已經達到了世界先進水平，1.8nm的引數足以媲美當今先進的光刻機標準。
而我們知道，雙工件是ASML這家機構最看重的技術。ASML不用多解釋，作為世界最先進的 光刻機裝置製造商，實力非常雄厚。這次清華團隊的研究成果能夠匹配ASML的1.8nm水平，就已經說明了我國的實力，畢竟連日本的尼康等公司，都沒有能夠做到1.8nm的水平。
這個結果足以打臉國外之前那些媒體，另外除了我國的高等院校參與之外。目前，中科院的高能輻射光源裝置，也已經能夠用0.1nm鍍膜的引數，全力投入使用。
至此目前EUV光刻機所需的三大件均已完成里程碑的突破，這標誌著量變終於引起了質變。國內的中科院教授同樣發出這樣的感嘆，有這樣的進度和人才儲備，未來3年之內完成光刻機的初步模型，指日可待。
而國外ASML一直以來唱衰中國自研科學實力的做法，其實也很容易理解。一來是各國所處的角度不同，二來是很擔心中國來衝擊到它的世界光刻機的地位。
打鐵還需自身硬，中國自研科技實力一步一步增強，也讓競爭對手們膽寒。科技的博弈是未來的主旋律，不斷增強人才儲備和技術科研成果的更新，才能夠不落後。核心技術就要掌握在自己手中，中國芯勢必會走出一條自己的康莊大道。
