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美光釋出了符合UFS2.1標準的嵌入式產品，支援雙通道雙向讀寫，G3-2L介面可提供的傳輸速度是eMMC5.1的兩倍，滿足捕獲高解析度照片或錄製4K影片儲存時所需的資料訪問速度需求，也可幫助智慧手機制造商在人工智慧（AI）、虛擬現實、面部識別等方面提高使用者體驗。
美光新的UFS2.1產品是基於第二代64層3D TLC NAND技術，與前代 3D TLC NAND相比，美光新64層3D TLC NAND產品效能提升50%，而且在同樣芯片面積下儲存密度翻倍。這些年，智慧型手機快速迭代，尤其是高階旗艦機，再加上拍照、多媒體、下載、APP等應用需求的增加，儲存容量的需求隨之大增。為了更快、更有效地訪問資料，美光基於64層3D TLC NAND技術的UFS2.1新產品可提供高效能和低延遲，且在保證較小的尺寸的同時提供64GB、128GB和256GB三種容量選擇。
2016年蘋果iPhone7增加256GB容量，日前三星釋出的Galaxy S9/S9+搭載的是8核高通驍龍845處理器，4GB/6GB Mobile DRAM，儲存容量也升級到了256GB，預計2018年將有更多的旗艦機配置256GB容量。隨著資料儲存需求的不斷增加，預計到2020年高階旗艦機儲存容量將由現在的256GB升級到512GB或1TB。美光移動業務營銷副總裁Gino Skulick 表示：“我們都期待未來智慧型手機迎來更多大膽的創新，為了順應這一趨勢，儲存將扮演著越來越重要的角色。美光不僅提供Mobile DRAM和3D NAND，我們領先的設計還可提供最先進智慧型手機所需效能。”
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