K4F4E3S4HF-GUCJ手機晶片K4F8E3S4HB-MFCJ

三星宣佈位於韓國華城的最新尖端半導體V1工廠生產線已經開始量產，該工廠致力於極紫外（EUV）光刻技術生產，並使用7奈米（nm）以下的工藝節點生產晶片。目前三星在韓國和美國共有6條生產線，其中包括5條12英寸生產線和1條8英寸生產線。三星最新的V1生產線於2018年2月破土動工，並於2019下半年開始測試生產晶圓，預計第一批產品將於2020年第一季度交付給客戶。三星電子公司總裁兼鑄造業務主管ES Jung表示：除了先進技術和設計之外，卓越的製造也是其核心業務，隨著產量的增加，V1工廠產出將增強三星應對市場需求的能力，並擴大為客戶提供更優的解決方案。隨著半導體幾何尺寸越來越小，EUV光刻技術的採用變得越來越重要，目前三星的V1工廠生產線正採用先進的7nm和6nm工藝技術生產移動晶片，並將繼續採用更精細的技術，甚至加速3nm工藝節點的發展。

此前訊息稱，三星6nm工藝已經量產出貨，基於全柵級(GAAFET)技術的3nm晶片也研發成功。三星3nm晶片，採用的全柵極技術，該項技術相較於5nm晶片，明顯縮減超過1/3的面積，而且效能提升了30%，同時功耗降低了50%，有望在2021年投入大規模量產。根據計劃，到2020年底，三星的V1工廠生產線累計總投資將達到60億美元，預計7nm及以下工藝節點的總產能將比2019年增長3倍，將響應快速增長的全球市場需求，包括為5G、AI和汽車等下一代應用提供了最佳選擇。

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