近日，西安電子科技大學微電子學院郝躍院士團隊張進成教授、寧靜副教授在柔性高效能GaN半導體外延材料與器件製備技術方面的研究取得了突破性進展，其研究成果分別發表在《Small》《ACS Applied Materials & Interfaces》和《ACS Applied Nano Materials》等高水平期刊，並在《Small》及《ACS Applied Nano Materials》期刊上作為封面文章被突出介紹。
柔性電子是指經扭曲、摺疊、拉伸等形狀變化後仍保持原有效能的電子系統，可用作可穿戴裝置、電子面板、柔性顯示屏等，具有重大應用前景，被阿里巴巴達摩院列為2021十大科技趨勢之一。柔性電子發展的主要瓶頸在於材料，然而當前的柔性材料或者由於“柔性”不足容易失效，或者電效能上不如“剛性”半導體。目前主要採用的柔性電子材料主要是有機材料、二維材料等。如何使傳統半導體如第三代半導體氮化鎵具備柔性同時保持高效能，是當前國際前沿熱點問題。
針對以上難題，郝躍院士團隊張進成教授、寧靜副教授透過對二維材料基底上氮化鎵薄膜的範德華外延生長技術開展深入研究，提出磁控濺射氮化鋁/石墨烯複合基底以及氧等離子輔助圖形化等新型生長方法，產出了高質量大面積的柔性氮化鎵半導體薄膜製備、高亮度柔性氮化鎵發光二極體以及柔性自變壓單片整合資訊傳輸系統等系列創新成果。（通訊員：西安電子科技大學程珺 廉姝潔）
