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韓媒報道，SK海力士近日表示，已與世界頂級的理工大學韓國科學技術院（KAIST）建立合作關係，將利用人工智慧技術改善晶片製造過程。根據諒解備忘錄，SK海力士將透過雲計算將半導體制造過程中產生的資料實時提供給韓科院，韓科院將利用AI技術分析資料，幫助推動晶片製造過程的發展。 SK海力士表示，今年3月在其總部推出了雲計算系統，為使韓科院能夠儲存提供的資料，公司還在該院校的大田校區和Seongnam-KAIST下一代ICT研究中心設立了安全資料儲存處。SK海力士一直在加強與韓國高等院校的合作關係，進一步提高其在半導體行業的能力。公司高管表示，預計這次合作將有助於加速晶片製造技術的發展。公司已建立了一個系統，可以立即將大學開發的AI演算法應用到工業領域，希望此次合作能夠培養更多的AI專業人士，推動半導體行業的發展。

較小的晶片可將電路置於焊盤下方，從而更好地實現淨裸當使用現有的PKG RDL結構時，由於頂部的金屬太薄，小於1um，因此在探測和鍵合期間經常會發生與焊盤有關的許多問題。使用IRDL結構，它可以使頂層金屬的厚度幾乎達到10um，足以承受探測和鍵合過程中產生的應力，從而可以將電路放置在焊盤下方。結果，它可以透過減小晶片尺寸來改善淨裸片。使用IRDL加強PDN使用IRDL的增強型電源網格可增強配電網路（PDN），從而大大提高晶片效能。如果沒有IRDL，則只能使用晶片現有的金屬佈線來進行PDN加固，從而導致遠離焊盤的PDN惡化。因此，這種方法的鋼筋非常有限。另一方面，當使用IRDL時，由於RDL層的特性，其傳遞的電阻值較低，因此增強的自由度大大提高了。因此，可以透過使用IRDL來提高晶片的效能。

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