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在近日三星舉辦的投資者會議上宣佈，將在明年量產的第七代V-NAND產品中使用“雙堆疊”技術，具體堆疊層數卻並未透露，此前有訊息稱，三星下一代3D NAND將超過160層。在128層工藝節點上，三星是唯一採用“單堆疊”技術生產3D NAND的企業。然而，對於堆疊層數更高的下一代NAND快閃記憶體，若不在其中增加強化結構，很難再以相同方式增加層數。因此，三星計劃改用“雙堆疊”方式強化結構，但是這樣做的弊病就是會增加製造程式，同一時間所能製造的產品數量便會減少，進而產品成本競爭力將會削弱。
三星電子執行副總裁表示，由於採用雙堆疊技術的第七代V-NAND製造程式較前一代有所增加，因此，第七代產品的單價相較第六代將至少增長約10%。理論上講，採用雙堆疊技術，3D NAND有望堆疊層數達到256層。儘管如此，三星強調，即使同樣採用“雙堆疊”技術，三星與其他企業也有顯著區別，由於三星NAND快閃記憶體單元高度是低於競爭對手的，因此更具有技術競爭力。由於NAND快閃記憶體是像公寓一樣將儲存單元垂直堆疊，因此增加堆疊層數並減少快閃記憶體單元高度是提升成本競爭力的關鍵。
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