進行MEMS製造的最基本需求是能夠沉積1到100微米之間的材料薄膜。NEMS的製造過程是基本一致的，膜沉積的測量範圍從幾奈米到一微米。沉積方法有兩種：物理沉積（PVD）和化學沉積（CVD）。
簡單介紹一下沉積法（Deposition processes）：（1）物理沉積和（2）化學沉積
（1）物理氣相沉積（Physical Vapor Deposition, PVD）是將材料從靶材（target）上去除（remove）並沉積在基材（substrate）表面上的過程。能做到這一點的技術包括濺射過程(sputtering)，在該過程中，離子束將原子從靶標中釋放出來，使它們移動透過一定的距離空間並沉積在所需的基材上；之後進行蒸發（evaporation）。在蒸發過程中，可以使用熱蒸發方法（thermal evaporation）或電子束蒸發方法(e-beam evaporation)從靶標中蒸發掉材料。
和化學氣相沉積相比，物理氣相沉積適用範圍廣泛，幾乎所有材料的薄膜都可以用物理氣相沉積來製備，但是薄膜厚度的均勻性是物理氣相沉積中的一個問題。羅列一下物理氣相沉積的方法，可以更詳細的歸納成蒸鍍、濺鍍和離子鍍等（請參看下表）。
（2）化學沉積技術（CVD）的源氣流（streamof source）在基板上反應以生長所需的材料。可以根據技術的細節將其進一步分為幾類，例如低壓化學氣相沉積（low-pressurechemical vapor deposition，LPCVD）和等離子體增強化學氣相沉積（plasma-enhanced chemical vapor deposition，PECVD）。
典型的CVD工藝是將晶圓（基底）暴露在一種或多種不同的前趨物下，在基底表面發生化學反應或/及化學分解來產生欲沉積的薄膜。反應過程中通常也會伴隨地產生不同的副產品，但大多會隨著氣流被帶走，而不會留在反應腔（reaction chamber）中。
CVD技術來沉積的材料範圍也非常廣泛，包括單晶、多晶、非晶及外延材料：矽、碳纖維、碳奈米纖維、奈米線、奈米碳管、SiO2、矽鍺、鎢、矽碳、氮化矽、氮氧化矽及各種不同的high-k介質等材料。CVD也用來生成合成鑽石。
氧化膜（oxide films）也可以透過熱氧化(thermaloxidation)技術來生長，可以從將矽晶片暴露於氧氣或蒸汽中，以生長二氧化矽（silicon dioxide）的薄表面層。
