在2021 IEEE IDM(國際電子器件會議)上，英特爾官方公佈展示了，封裝，電晶體，量子物理學方面的核心技術有了新的突破，可以繼續推動摩爾定律的發展，實現超越。
1.透過研究核心縮放技術，整合更多的電晶體
英特爾榮國混合鍵合解決設計，工藝製程，組裝問題，將封裝密度提升10倍以上。
在今年7月份的時候，英特爾官方就公佈了新的Foveros Direct封裝技術，可以讓10微米以下的凸點間距，讓3D堆疊密度提升一個量級。
未來還要透過GAA RibbonFET電晶體、堆疊多個CMOS電晶體，英特爾聲稱實現高達30%-50%的邏輯電路縮放，單位面積可以容納更多的電晶體。
在後奈米時代，英特爾將克服傳統矽帶來的限制，用幾個原子的厚度的新型材料製造電晶體，可以讓每個晶片增加數百萬格電晶體。
2.探尋新的矽技術
例如限制300毫米晶圓矽上第一次整合基於氮化鎵的功率元件，矽基CMOS，可以實現更高效的電源技術，可以帶來更低的損耗，更高速的給CPU供電，還能減少主機板元件的佔用空間。
利用全新型電鐵體材料，用作下一代嵌入式DRAM技術，可以提供更大的記憶體容量，更低的讀寫延遲。
3.根據矽電晶體的量子計算，在室溫下進行大規模的高效計算新元器件，在未來或將取代傳統MOSFET電晶體。
就拿全球首例常溫磁電自旋軌道(MESO)邏輯器件來說，未來很有可能基於奈米尺度的磁體元器件製造出新型電晶體，完整的300毫米量子位元支援工藝流程，不僅能持續縮小電晶體，還可以相容CMOS製造流水線。
可以看出，英特爾目前在電晶體等核心技術上有了新的突破，未來將推動摩爾定律的繼續發展，英特爾或將不再擠牙膏了。
