半導體上游主要由積體電路設計、材料與設計組成；晶圓製造環節作為中游，是實現晶片功能化的重要一環；產業鏈下游主要包括消費電子、汽車、人工智慧、AIoT等領域。半導體行業具有周期性，本輪缺芯主要源於晶圓廠產能釋放週期長，階段性出現與下游的供需錯配。
中國半導體材料產業現狀：
1）全球半導體產業持續高增長，景氣度持續上行。
2）中國增速引領全球，行業未來空間大。
3）企業盈利能力、成長性強，毛利率提升空間大。
投資邏輯：
1）下游終端需求廣闊，半導體材料長期向好。萬物互聯開啟半導體的黃金週期，5G與汽車電子的高速增長持續激發晶片的旺盛需求。隨著AIoT技術未來日益成熟，半導體材料行業有望享受產業增長的紅利。
2）供給端持續發力，半導體材料將享受行業增長紅利。1）晶圓廠擴產、產業東移之下，半導體材料增量機會凸顯。勞動力相對優勢下，中國成為全球第三次半導體產業鏈轉移的目的地，優質本土企業開始湧現；全球晶圓廠迎來擴建期，我國晶圓廠擴建量最大，疊加全球產能釋放已排至明年，相關企業顯著受益；2）國家大基金二期加碼扶持裝置與材料，進一步補足裝置材料方面的技術短板，國產替代加速可期，。
3）供需緊平衡格局下，半導體材料的量價齊升。1）全球晶片供需偏緊疊加價格傳導不暢，半導體材料板塊業績高增長；2）晶圓廠擴產能的釋放週期長，晶片端供需或仍維持緊平衡。
4）半導體材料國產化大勢所趨，政策扶持為核心助力。1）積體電路國產化率提升目標明確，政策導向為產業持續性發展之根本；2）減稅政策作用巨大，我國晶片企業收益顯著。
細分領域：
矽片：晶圓製造核心材料，晶圓廠擴產將帶來規模增量，汽車及資料中心未來需求極大。
電子特氣：滲透晶圓製造工序各核心環節，客戶驗證加速，當前自主化程度高。
光掩模版：資本開支擴大，原料端限制有望邊際改善。
光刻膠：高階光刻膠突破數十年壟斷格局，研發與驗證進一步加速。
溼電子化學品：成長性高於全球水平，高附加值構築行業優良特性。
CMP拋光材料：晶圓平坦化核心材料，國內龍頭具有稀缺性，高階製程進一步突破。
濺射靶材：先進製程實現量產，電子級靶材自主化可期。
總體來看，矽片、光刻膠、溼電子化學品的全球市場規模最大，國內市場規模前三大材料分別為光刻膠、電子特氣及溼電子化學品，規模均超百億元。行業配置上，電子特氣>光刻膠> 溼電子化學品>CMP拋光材料>矽片>光掩模版>濺射靶材
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